Dan Adams

Angestellt, Expert for SiC Substrate Material & Technology, Robert Bosch GmbH
Fellbach, Germany

Fähigkeiten und Kenntnisse

Semiconductors
Halbleiter
Process Engineering
Optical Metrology
Yield management
Halbleiterphysik
Vacuum Technology
Engineering Physics
Photovoltaics
Engineering
Projektmanagement
Produktion
Management

Werdegang

Berufserfahrung von Dan Adams

  • Current 4 years and 9 months, since Oct 2021

    Expert for SiC Substrate Material & Technology

    Robert Bosch GmbH

  • 2 years and 5 months, May 2019 - Sep 2021

    Manager Inline Quality Gates

    NICE Solar Energy GmbH (PMB Transfergesellschaft GmbH)

  • 2 years and 2 months, Apr 2017 - May 2019

    Stay-at-home-parent

    Stay-at-home-parent

  • 1 year and 3 months, Feb 2016 - Apr 2017

    SiC Crystal Growth Spezialist

    Dow Corning Corporation

    Charakterisierungs- und Metrologie-Spezialist für Siliciumcarbid (SiC) Einkristallwachstum, Wafering und Epitaxie. Verantwortlich für die Mess- und Analysestrategie und die Entwicklung optimierter Testmethoden. Einführung von Prozessverbesserungen, Qualitätsverbesserung und Reduzierung von Nacharbeit. Mitglied des „Customer Response Teams“, einem internationalen Team von Qualitäts-, Applikations- und Prozessingenieuren, zur Ursachenforschung und Lösung kundenbezogener Probleme.

  • 3 years and 8 months, Jul 2012 - Feb 2016

    Senior Fertigungsingenieur

    Dow Corning Corporation

    Projektleiter mehrerer Kapitalinvestitionsprojekte und Qualifizierung von Mess- und Waferhandhabungswerkzeugen für Substrat und Epi- Wafer. Projektleitung für Reinraumprojekten zur Verbesserung der Partikel-, Umwelt- und ESD-Steuerung, Optimierung von Prozessablauf für LEAN-Fertigung. Projektleitung zur Verbesserung des SiC-Wafer- Reinigungsprozesses Leitung von kontinuierlichen Verbesserungsprojekten für die Zuverlässigkeit der Reinigungs-und Metrologie-Toolsets.

  • 7 months, Jan 2012 - Jul 2012

    Fertigungsingenieur

    Dow Corning Corporation

    Verbesserung von LLS-Fehlererkennungsanalyse, dadurch deutlich verbesserte Korrelation zu SiC-Bauteilausfällen. Qualifizierung verbesserter Metrologie-Tools und Leitung eines Projektes zur Optimierung des Arbeitsablaufs, der die Betriebszykluszeit um zwei Drittel reduzierte.

  • 1 year and 11 months, Mar 2010 - Jan 2012

    Prozessingenieur

    EPIR Technologies

    Projektleitung zur Automatisierung des Diffusionsglühprozesses, mit einer LabVIEW-Umgebung, um die Wiederholbarkeit zu verbessern. Epitaxiales Wachstum und Charakterisierung von II-VI- Materialien durch Molecular Beam Epitaxy (MBE) Management der ISO 5 (Klasse 100) Reinraumbetrieb und einen Vor-Ort-Sicherheitskontakt. Charakterisierung von Material- und Geräteleistung.

  • 1 year and 1 month, Mar 2009 - Mar 2010

    Entwicklungsingenieur Techniker III

    First Solar

    Forschung und Entwicklung des Dünnfilmabscheidungsprozesses für CdTe Photovoltaikmaterial. Optische und elektrische Charakterisierung von CdTe. Koordinierung mit Betrieb und Produktion Personal zur Ausführung von DOE und Engineering-Tests.

Ausbildung von Dan Adams

  • 2 years and 5 months, Aug 2006 - Dec 2008

    Physics

    Western Michigan University

    Solid State Physics Research

  • 4 years and 7 months, Jan 2002 - Jul 2006

    Physics

    Western Michigan University

    Minor in Mathematics

Sprachen

  • English

    C2 (Verhandlungssicher / Muttersprachlich)

  • German

    B1-B2 (Gute Kenntnisse)

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