Dan Adams
Angestellt, Expert for SiC Substrate Material & Technology, Robert Bosch GmbH
Fellbach, Deutschland
Werdegang
Berufserfahrung von Dan Adams
Bis heute 2 Jahre und 7 Monate, seit Okt. 2021
Expert for SiC Substrate Material & Technology
Robert Bosch GmbH
2 Jahre und 5 Monate, Mai 2019 - Sep. 2021
Manager Inline Quality Gates
NICE Solar Energy GmbH (PMB Transfergesellschaft GmbH)
2 Jahre und 2 Monate, Apr. 2017 - Mai 2019
Stay-at-home-parent
Stay-at-home-parent
1 Jahr und 3 Monate, Feb. 2016 - Apr. 2017
SiC Crystal Growth Spezialist
Dow Corning Corporation
Charakterisierungs- und Metrologie-Spezialist für Siliciumcarbid (SiC) Einkristallwachstum, Wafering und Epitaxie. Verantwortlich für die Mess- und Analysestrategie und die Entwicklung optimierter Testmethoden. Einführung von Prozessverbesserungen, Qualitätsverbesserung und Reduzierung von Nacharbeit. Mitglied des „Customer Response Teams“, einem internationalen Team von Qualitäts-, Applikations- und Prozessingenieuren, zur Ursachenforschung und Lösung kundenbezogener Probleme.
3 Jahre und 8 Monate, Juli 2012 - Feb. 2016
Senior Fertigungsingenieur
Dow Corning Corporation
Projektleiter mehrerer Kapitalinvestitionsprojekte und Qualifizierung von Mess- und Waferhandhabungswerkzeugen für Substrat und Epi- Wafer. Projektleitung für Reinraumprojekten zur Verbesserung der Partikel-, Umwelt- und ESD-Steuerung, Optimierung von Prozessablauf für LEAN-Fertigung. Projektleitung zur Verbesserung des SiC-Wafer- Reinigungsprozesses Leitung von kontinuierlichen Verbesserungsprojekten für die Zuverlässigkeit der Reinigungs-und Metrologie-Toolsets.
7 Monate, Jan. 2012 - Juli 2012
Fertigungsingenieur
Dow Corning Corporation
Verbesserung von LLS-Fehlererkennungsanalyse, dadurch deutlich verbesserte Korrelation zu SiC-Bauteilausfällen. Qualifizierung verbesserter Metrologie-Tools und Leitung eines Projektes zur Optimierung des Arbeitsablaufs, der die Betriebszykluszeit um zwei Drittel reduzierte.
1 Jahr und 11 Monate, März 2010 - Jan. 2012
Prozessingenieur
EPIR Technologies
Projektleitung zur Automatisierung des Diffusionsglühprozesses, mit einer LabVIEW-Umgebung, um die Wiederholbarkeit zu verbessern. Epitaxiales Wachstum und Charakterisierung von II-VI- Materialien durch Molecular Beam Epitaxy (MBE) Management der ISO 5 (Klasse 100) Reinraumbetrieb und einen Vor-Ort-Sicherheitskontakt. Charakterisierung von Material- und Geräteleistung.
1 Jahr und 1 Monat, März 2009 - März 2010
Entwicklungsingenieur Techniker III
First Solar
Forschung und Entwicklung des Dünnfilmabscheidungsprozesses für CdTe Photovoltaikmaterial. Optische und elektrische Charakterisierung von CdTe. Koordinierung mit Betrieb und Produktion Personal zur Ausführung von DOE und Engineering-Tests.
Ausbildung von Dan Adams
2 Jahre und 5 Monate, Aug. 2006 - Dez. 2008
Physics
Western Michigan University
Solid State Physics Research
4 Jahre und 7 Monate, Jan. 2002 - Juli 2006
Physics
Western Michigan University
Minor in Mathematics
Sprachen
Englisch
Muttersprache
Deutsch
Gut