Dr. Hocine Boubekeur
Fähigkeiten und Kenntnisse
Werdegang
Berufserfahrung von Hocine Boubekeur
- Bis heute 12 Jahre und 11 Monate, seit Sep. 2012
Lead Process Integration
Altis Semiconductor
Advanced CMOS technologies for RF, low power, and high performance analog mixed signal. Embedded Flash memory for automotive and smartcard applications. High Performance BCD technologies for mixed digital, analog, high voltage requirement, and Energy management. Technology R&D, Transfer, and Ramp-up
- 3 Jahre und 7 Monate, März 2009 - Sep. 2012
Senior R&D Engineer
Schott Solar AG
High efficiency silicon solar cells
- 6 Monate, Sep. 2008 - Feb. 2009
Senior R&D Engineer
Qimonda Technologies
Reliability and Quality Department
- 4 Jahre und 3 Monate, Juni 2004 - Aug. 2008
Senior R&D Engineer
Infineon Technologies/ Qimonda Technologies
Module leader for technology development of gate transistor in NAND Flash and NROM memories
Atomic Layer deposition process development of high-k materials
- 3 Jahre und 6 Monate, Okt. 1998 - März 2002
Scientific Research Staff
Siemens AG/ Infineon Technologies
FeRAM Technology Innovation
Ausbildung von Hocine Boubekeur
- 4 Jahre, Apr. 1998 - März 2002
Microelectronics
Technical University of Erlangen-Nürnberg, Germany
Topic: "Contamination Aspects in Integrating High Dielectric constant and Ferroelectric Materials into CMOS Processes"
Sprachen
Englisch
Fließend
Deutsch
Fließend
Französisch
Muttersprache
Arabisch
Muttersprache
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