Bernhard Knüpfer

Angestellt, Head of Product Development High Voltage MOS, Infineon Technologies AG, Munich
Neubiberg, Deutschland

Fähigkeiten und Kenntnisse

Projektmanagement
Führung von internationalen Teams
hohe interkulturelle Kompetenz
China
Europa
Indien
Taiwan
USA
hohe soziale Kompetenz
Mitarbeiterführung
Teamplayer
schnelle Auffassungsgabe
analytisches Denken
hohe Belastbarkeit
hohe Lernbereitschaft
Schaltungsverifikation
Fehleranalyse
Prüftechnik
Speicherchip-Knowhow
IC-Test
Halbleiterphysik
Halbleitertechnologie

Werdegang

Berufserfahrung von Bernhard Knüpfer

  • Bis heute 6 Jahre und 4 Monate, seit Apr. 2019

    Head of Product Development High Voltage MOS

    Infineon Technologies AG, Munich

  • 7 Jahre und 9 Monate, Juli 2011 - März 2019

    Development Project Manager

    Infineon Technologies AG

  • 2 Jahre und 1 Monat, Juni 2009 - Juni 2011

    Projektmanager / Wissenschaftlicher Mitarbeiter

    Deutsches Zentrum für Luft- und Raumfahrt (DLR)

    Projektleitung Satellitenkommunikation

  • 4 Jahre und 11 Monate, Mai 2004 - März 2009

    Senior Project Manager

    Qimonda AG

    Leitung von internationalen und interkulturellen DRAM-Entwicklungsteams mit bis zu 30 Projektmitgliedern; Projektplanung; Risikomanagement; Technische Dokumentation; Coaching

  • 4 Jahre und 4 Monate, Jan. 2000 - Apr. 2004

    Teamleiter Designanalyse & Charakterisierung

    Infineon Technologies AG

    fachliche Verantwortung für 6 Entwicklungsingenieure; elektrische Schaltungsverifikation und Fehleranalyse; Konzeptionelle Planung und Definition von Tester-Loadboard-PCBs und Nadelkarten zur Kontaktierung von Wafern

  • 1 Jahr und 8 Monate, Mai 1998 - Dez. 1999

    Entwicklungsingenieur

    Infineon Technologies AG / Siemens AG

    elektrische Schaltungsverifikation und Fehleranalyse

Ausbildung von Bernhard Knüpfer

  • 3 Jahre und 3 Monate, Feb. 1995 - Apr. 1998

    Physik

    Universität Erlangen-Nürnberg

    Optoelektronik; Herstellung, Charakterisierung und Optimierung von optoelektronischen Empfangs- und Sendekomponenten

  • 11 Monate, März 1994 - Jan. 1995

    Optoelektronik

    Interuniversitair Micro-Elektronica Centrum (IMEC), Leuven/Belgien

    Herstellung und Charakterisierung von Photothyristoren

  • 5 Jahre und 5 Monate, Okt. 1988 - Feb. 1994

    Physik

    Universität Erlangen-Nürnberg

    Technische Physik, Halbleiterphysik

Sprachen

  • Deutsch

    Muttersprache

  • Englisch

    Fließend

  • Italienisch

    Grundlagen

  • Französisch

    Grundlagen

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