Bernhard Knüpfer

Angestellt, Head of Product Development High Voltage MOS, Infineon Technologies AG, Munich
Neubiberg, Germany

Fähigkeiten und Kenntnisse

Projektmanagement
Führung von internationalen Teams
hohe interkulturelle Kompetenz
China
Europa
Indien
Taiwan
USA
hohe soziale Kompetenz
Mitarbeiterführung
Teamplayer
schnelle Auffassungsgabe
analytisches Denken
hohe Belastbarkeit
hohe Lernbereitschaft
Schaltungsverifikation
Fehleranalyse
Prüftechnik
Speicherchip-Knowhow
IC-Test
Halbleiterphysik
Halbleitertechnologie

Werdegang

Berufserfahrung von Bernhard Knüpfer

  • Current 7 years and 2 months, since Apr 2019

    Head of Product Development High Voltage MOS

    Infineon Technologies AG, Munich

  • 7 years and 9 months, Jul 2011 - Mar 2019

    Development Project Manager

    Infineon Technologies AG

  • 2 years and 1 month, Jun 2009 - Jun 2011

    Projektmanager / Wissenschaftlicher Mitarbeiter

    Deutsches Zentrum für Luft- und Raumfahrt (DLR)

    Projektleitung Satellitenkommunikation

  • 4 years and 11 months, May 2004 - Mar 2009

    Senior Project Manager

    Qimonda AG

    Leitung von internationalen und interkulturellen DRAM-Entwicklungsteams mit bis zu 30 Projektmitgliedern; Projektplanung; Risikomanagement; Technische Dokumentation; Coaching

  • 4 years and 4 months, Jan 2000 - Apr 2004

    Teamleiter Designanalyse & Charakterisierung

    Infineon Technologies AG

    fachliche Verantwortung für 6 Entwicklungsingenieure; elektrische Schaltungsverifikation und Fehleranalyse; Konzeptionelle Planung und Definition von Tester-Loadboard-PCBs und Nadelkarten zur Kontaktierung von Wafern

  • 1 year and 8 months, May 1998 - Dec 1999

    Entwicklungsingenieur

    Infineon Technologies AG / Siemens AG

    elektrische Schaltungsverifikation und Fehleranalyse

Ausbildung von Bernhard Knüpfer

  • 3 years and 3 months, Feb 1995 - Apr 1998

    Physik

    Universität Erlangen-Nürnberg

    Optoelektronik; Herstellung, Charakterisierung und Optimierung von optoelektronischen Empfangs- und Sendekomponenten

  • 11 months, Mar 1994 - Jan 1995

    Optoelektronik

    Interuniversitair Micro-Elektronica Centrum (IMEC), Leuven/Belgien

    Herstellung und Charakterisierung von Photothyristoren

  • 5 years and 5 months, Oct 1988 - Feb 1994

    Physik

    Universität Erlangen-Nürnberg

    Technische Physik, Halbleiterphysik

Sprachen

  • German

    C2 (Verhandlungssicher / Muttersprachlich)

  • English

    C1 (Fließend)

  • Italian

    A1-A2 (Grundkenntnisse)

  • French

    A1-A2 (Grundkenntnisse)

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