Dr. Peter Stauss
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Fähigkeiten und Kenntnisse
Werdegang
Berufserfahrung von Peter Stauss
- Bis heute 14 Jahre und 6 Monate, seit 2011
Senior Manager R&D
Osram Opto Semiconductors Regensburg
Team leader in (Micro)-LED R&D with broad hands on experience in AlGaInP and AlGaInN MOCVD growth and device processing technologies. Deep understanding on optoelectronic material properties impacting LED performances and the associated analysis methods. R&D roadmap planning and executing (resources / budget / milestones)
- 2006 - 2010
Technical Project Manager R&D
Osram Opto Semiconductors Regensburg
Project leader R&D: various projects including JDAs, national and european funding, with different national and international partners in the field of IIi/V semiconductors for LED and GaN based electronics products
- 1998 - 2006
R&D Engineer LED
Osram Opto Semiconductors Regensburg
MOCVD R&D-Engineer: Process and Hardware development in the field of III/V based Semiconductors for LEDs and Detector elements: AlGaInP 670-560nm and AlGaInN: 550–420nm on 100–150mm substrates with various Veeco and Aixtron tools and all major characterization methods
Ausbildung von Peter Stauss
- 1994 - 1998
Physik
TU Berlin
Experimental study on the growth and characterization of ß-FeSi2 for optoelectronic applications
- 1986 - 1993
Physik
Universität Stuttgart
1-year diploma thesis in MOCVD grown AlGaAs solar cells with hands-on experience of growth and characterization methods
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