Markus Hammer

Angestellt, Senior Director Automotive Package Development, Infineon Technologies
Regensburg, Germany

Fähigkeiten und Kenntnisse

Management Experience (Semiconductors)
Semiconductor Process Integration
Personalführung
Management Prozesse
Business Processes
Halbleiter Erfahrung
Halbleiter Know How
Electronics
Magnetic Sensors
Galvanic Isolation
erfahrener R&D Projektmanager
Technology Development
Process Stability
Themen strukturiert vorantreiben
Ideen umsetzen
Technology Transfer Manager
Spezialist für Dielektrika
Reliability
Automotive
Automotive Technology
Automotive Technology Development
Automotive Semiconductors

Werdegang

Berufserfahrung von Markus Hammer

  • Current 2 years and 2 months, since Apr 2024

    Senior Director Automotive Package Development

    Infineon Technologies
  • Current 5 years and 8 months, since Oct 2020

    Director Technology Development

    Infineon Technologies

    Development of Automotive Semiconductor Technologies

  • Current 12 years and 5 months, since Jan 2014

    Senior Manager Technology Development

    Infineon Technologies

    Development of Automotive Power Technologies

  • Current 16 years and 9 months, since Sep 2009

    Senior Manager Process Integration

    Infineon Technologies

    Senior Manager Process Integration

  • Current

    Director Technology Development

    Infineon Technologies

    Development of Automotive Technologies

  • 10 years and 8 months, 1999 - Aug 2009

    Projektmanager Forschung und Entwicklung

    Infineon Technologies

    Projektmanager Forschung und Entwicklung von Halbleitertechnologien Projektmanager Transfer von Technologien

  • 1 year and 8 months, Sep 1997 - Apr 1999

    Entwicklungsingenieur

    SIEMENS Halbleiter

    Entwicklungsingenieur für Halbleitertechnologien: Flash, CMOS. Spezialist für Dielektrika.

Ausbildung von Markus Hammer

  • 6 months, Oct 1995 - Mar 1996

    Physik

    University of Reading, Great Britain

    Halbleiterphysik, Dünne Schichten Projekt: Thermal Evapuration of Thin Aluminium Films

  • 6 years and 3 months, Oct 1991 - Dec 1997

    Physik

    Universität Regensburg

    Halbleiterphysik, LASER, Diplomarbeit bei SIEMENS Halbleiter Regensburg Thema: „Charakterisierung des Gateoxids von analogen u. digitalenTechnologien“

Sprachen

  • German

    C2 (Verhandlungssicher / Muttersprachlich)

  • English

    C1 (Fließend)

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